近期歐姆龍發(fā)布“ T型電路結構”首款帶固態(tài)繼電器的MOS FET繼電器模塊G3VM-21MT- 有助于降低測試設備的維護頻率并提高電子元件的生產率!

MOS FET繼電器模塊G3VM-21MT這款電子元件* 2至采用“ T型電路結構” * 3。T型電路結構包括緊湊的尺寸和更長的使用壽命的固態(tài)繼電器，這些固態(tài)繼電器無需物理接觸即可輸出信號，因此繼電器模塊將泄漏電流* 4 降至最低，這是半導體測試設備長期以來一直存在的問題。G3VM-21MT可以進行高精度測量并提高電子元件的生產率。

G3VM-21MT能夠在主要用于半導體器件電氣測試的測試設備中切換測量信號。除了體積小，使用壽命長的MOS FET繼電器功能外，G3VM-21MT是一個具有“ T型電路結構”的MOS FET繼電器模塊，該模塊由三個MOS FET繼電器組成，有助于將泄漏電流降至最低水平，而又不影響測試設備的檢查精度，同時可以進行高精度測量并降低測試設備的維護頻率。

在數字時代，電子組件的功能日益多樣化，產量不斷增長，對高性能半導體測試設備的需求日益增長。機械簧片繼電器* 5，已用于半導體測試設備中進行高精度測量的零件，其泄漏電流極低，但需要定期更換，由于導通觸點的磨損和磨損，可能每個月要更換幾次影響測量精度。這種維護工作可能會嚴重影響生產效率，因此長期以來一直希望采用固態(tài)繼電器，因為其使用壽命更長。迄今為止，由于技術上的困難，MOS FET繼電器被認為不適合用于精確的電氣測試，以降低與其特性有關的泄漏電流，并且尚未用于要求高可靠性的測試設備中。

為了滿足這些需求，采用“ T型電路結構”成功實現了繼電器模塊產品的商業(yè)化，并顯著降低了泄漏電流小于或等于1pA（萬億分之一）安培的一部分）。將固態(tài)繼電器中的泄漏電流減小到盡可能接近零的挑戰(zhàn)消除了泄漏電流問題，并提高了測試設備的可靠性。此外，通過將長壽命的MOS FET繼電器集成到繼電器模塊中，可以縮短維修停機時間，這對于機械繼電器一直是一個長期的挑戰(zhàn)。